【长鑫】2018 年底第一个中国自主研发的 DRAM 芯片有望在合肥诞生

Nocturne

glm_rookie 发表于 2018-4-23 12:45
比三星差了一代，不过要是能量产且被市场接纳，也已经是很大的成就了。

我们不可以再像以前等到国产产品追上国际先进水平甚至是超过时再去使用。

Nocturne

shandongren02 发表于 2018-4-19 11:03
我理解为生产内存的
合肥如果能在处理器上再拓展的话就好了
说白了，除了产业链外，我们还是缺人才、缺技 ...

是的啊，DRAM是用于我们常用的计算机里的内存条的。

人才和技术的缺乏是长期以来的问题。

Nocturne

朱古力 发表于 2018-4-21 11:29
2021年才研发17纳米.好失望啊.

现在大厂商基本上都困在10nm了，目前是追赶的好时机。

glm_rookie

Nocturne 发表于 2018-4-23 22:37
现在大厂商基本上都困在10nm了，目前是追赶的好时机。

就内存来说，最先进的18nm制程，三星和海力士去年才大规模量产，但其复杂度也比之前20nm高的多，量产规模未达预期，导致内存价格一路走高。最早的20nm内存也是三星大概14，15年量产的，所以就17nm内存来说，如果18,19年量产，绝对最先进，推迟到2021年的话，差不多比三星晚一代。至于10nm？还很遥远，起码10年后吧。

Nocturne

glm_rookie 发表于 2018-4-24 07:18
就内存来说，最先进的18nm制程，三星和海力士去年才大规模量产，但其复杂度也比之前20nm高的多，量产规模 ...

怎么可能会是10年后的事情呢？

按照路线图，2017年就是10nm的元年。2016年三星电子宣布量产时，虽然说良品率还不高，但是也到了量产标准了。

Octavia

Nocturne 发表于 2018-4-24 20:22
怎么可能会是10年后的事情呢？

按照路线图，2017年就是10nm的元年。2016年三星电子宣布量产时，虽然说 ...

DRAM的制程和先进工艺的制程不是一回事。

DRAM的多少nm特指core区域cell的pitch；三星20nm DRAM颗粒，logic部分也就相当于先进工艺的40/45nm

Nocturne

Octavia 发表于 2018-4-24 22:54
DRAM的制程和先进工艺的制程不是一回事。

DRAM的多少nm特指core区域cell的pitch；三星20nm DRAM颗粒， ...

谢谢指点，虽然学习过制造方面的知识，但是还是不够。

orangesun

高楼迷人才很多啊 学习到不少

tfdus2

爱操心的家伙 发表于 2018-4-23 13:16
之前坛子里不是说庐江的那个重化工是宋书记的功劳吗

那些话看看就好。有没有功。坛子里几个人会知道。。都是饭后娱乐

风往北吹2015

有总比没有好，只有民用级别的各个公司芯片才追求最新的什么10纳米7纳米，其实能把十几纳米20纳米玩666了一样的，足够用了
军用级别的是要稳定，有一年米国大费周折到太空给哈勃望远镜换了个486的电脑

964382076

Octavia 发表于 2018-4-24 22:54
DRAM的制程和先进工艺的制程不是一回事。

DRAM的多少nm特指core区域cell的pitch；三星20nm DRAM颗粒， ...

我想问下 睿力集成用的S阿斯麦什么型号的光刻机？NEX1980DI?

Octavia

964382076 发表于 2018-5-22 16:07
我想问下 睿力集成用的S阿斯麦什么型号的光刻机？NEX1980DI?

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cutboy

glm_rookie 发表于 2018-4-19 13:18
在中兴被美国掐住脖子的背景下，睿力的项目更显得尤为珍贵。

说的好，没有自己核心的高技术企业倒闭是早晚的事，一帮流浪饭桶们干不出来好事，像一汽，东风等大型企业也不例外。

zhxz0551

发展芯片，是相关人员有先见之明。